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在表面离子栅的调控下,年高年晶体管获得了104的电流开关比。考报(d)线性坐标下(c)图中单个光电流周期的放大视图。

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该技术利用独立层结构的摩擦纳米发电机诱导的气体放电产生的负离子吸附在单层MoS2表面位置,收藏山东上填充当栅压来调控单层MoS2载流子浓度和电输运性质。年高年文章链接:https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2019.05.012本文由河南大学特种功能材料教育部重点实验室程纲教授团队供稿。

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